低損失パワーデバイス実現にむけたワイドバンドギャップ半導体結晶成長

• 研究概要

  次世代のパワーデバイス・高電子移動度トランジスタ材料であるワイドバンドギャップ半導体結晶，酸化ガリウム（Ga2O3）および窒化アルミニウム（AlN）を気相から高速で成長させるハライド気相成長法の研究を実施する。また、成長した結晶をデバイスに応用するための要素技術開発を行う。ポーランド科学アカデミーの研究者らと連携して国際共同研究を実施する。

  

その他の研究者

村上　尚　（工学研究院・准教授）