村上　尚

Professional Career

経歴

2003年 - 2005年 : 日本学術振興会　特別研究員DC2
2005年4月 - 2007年3月 : 東京農工大学大学院　共生科学技術研究院　助手
2008年9月 - 2009年2月 : スウェーデン国　リンチョーピン大学　訪問研究員
2007年4月 - 2011年11月 : 東京農工大学大学院　共生科学技術研究院　助教
2011年12月- 現在 : 東京農工大学大学院　工学研究院・応用化学部　准教授

Academic Degrees

学位

2005年　博士(工学)　東京農工大学
2002年　修士(工学)　東京農工大学

Research Interests

キーワード

結晶成長、エピタキシャル成長

Publications

論文

• Wong, M. H., Murakami, H., Kumagai, Y., Higashiwaki, M., Aperture-limited conduction and its possible mechanism in ion-implanted current aperture vertical β-Ga2O3 MOSFETs, Applied Physics Letters (Appl. Phys. Lett.)., 118: 012102 1-6, 2021
• Mishra, A., Moule, T., Uren, M. J., Wong, M. H., Goto, K., Murakami, H., Kumagai, Y., Higashiwaki, M., Kuball, M. Characterization of trap states in buried nitrogen-implanted β-Ga2O3. Applied Physics Letters (Appl. Phys. Lett.)., 117: 243505 1-7, 2020
• Yamamoto, R., Takekawa, N., Goto, K., Nagashima, T., Dalmau, R., Schlesser, R., Murakami, H., Collazo, R., Monemar, B., Zlatko Sitar, Kumagai, Y. Hydride vapor phase epitaxy of Si-doped AlN layers using SiCl4 as a doping gas. Journal of Crystal Growth (J. Cryst. Growth)., 545: 125730 1-6, 2020
• De Santi, C., Nardo, A., Wong, M.H., Goto, K., Kuramata, A., Yamakoshi, S., Murakami, H., Kumagai, Y., Higashiwaki, M., Meneghesso, G., Zanoni, E., Meneghini, M. Stability and degradation of isolation and surface in Ga2O3 devices. Microelectronics Reliability (Microelectron. Rel.). 100-101: 113453 1-4, 2019
• Goto, K., Konishi, K., Murakami, H., Kumagai, Y., Monemar, B., Higashiwaki, M., Kuramata, A., Yamakoshi, S. Halide vapor phase epitaxy of Si doped beta-Ga2O3 and its electrical properties. Thin Solid Films (Thin Solid Films) 666: 182-184, 2018.
• Konishi, K., Goto, K., Togashi, R., Murakami, H., Higashiwaki, M., Kuramata, A., Yamakoshi, S., Monemar, B., Kumagai, Y. Comparison of O-2 and H2O as oxygen source for homoepitaxial growth of beta-Ga2O3 layers by halide vapor phase epitaxy. Journal of Crystal Growth (J. Cryst. Growth). 492: 39-44, 2018